Перечень оказываемых услуг

Перечень оказываемых типовых услуг

I Типовые услуги:

  1. Анизотропное и изотропное травление кремния в растворах КОН;

  2. Анизотропное травление полупроводниковых слоев;

  3. Безмасковая лазерная литография;

  4. Бесконтактные измерения электрических характеристик полупроводниковых пластин;

  5. Измерение коэффициентов матрицы рассеяния (S-параметры) и шума, интермодуляционных искажений, потерь преобразователей частоты и других показателей; Измерениевольтамперных характеристик (ВАХ);

  6. Измерение квазистатических вольт-фарадных характеристик (ВФХ);

  7. Измерение толщины и неравномерности тонких прозрачных пленок; Измерение остаточных напряжений тонких пленок; Измерение и параметров профиля элемента топологии (высота, размеры) с использованием АСМ;

  8. Изотропное травление оксидов и нитридов;

  9. Исследование образцов в условиях высокого вакуума при воздействии температуры;

  10. Литография электронным пучком;

  11. Магнетронное, электронно-лучевое и термическое напыление проводящих, диэлектрических, магнитных материалов;

  12. Мегазвуковая обработка; Нанесение фоторезиста; Проявление фоторезиста; Сушка и задубливание фоторезиста; Нанесение адгезионного слоя; Снятие краевого валика фоторезиста;

  13. Модуль операционного контроля;

  14. Нанесение фоторезиста методом центрифугирования;

  15. Определение качественного и количественного состава образца; Определение распределения атомов по глубине образца; Картирование распределения атомов по поверхности образца;

  16. Определение поверхностного сопротивления пленки на пластине;

  17. Определение толщины пленок; Определение параметров шероховатости; Контроль механического напряжения в пленках по кривизне пластины;

  18. Осаждение пленок оксида кремния (SiO2); Осаждение пленок фосфоросиликатного стекла (PSG);

  19. Плазмохимическая очистка поверхности кремниевых пластин;

  20. Плазмохимическое травление диэлектрических пленок (нелегированный оксид SiO2 и фосфоросиликатное стекло PSG) с использованием функции автоматической остановки травления; Плазмохимическое травление слоев металлизации с использованием функции автоматической;

  21. Проведение визуальной инспекции поверхности образцов в режиме светлого поля; Проведение визуальной инспекции поверхности образцов в режиме темного поля; Измерение геометрических размеров элементов топологии;

  22. Просвечивающая электронная микроскопия; Сканирующая просвечивающая электронная микроскопия; Элементный анализ; Дифракция;

  23. Проявление и отмывка фотошаблонов;

  24. Рекристаллизационный отжиг пластины Si/TiOx;

  25. Синтез углеродных наноструктурированных материалов;

  26. Сканирование загрязнений на пластине;

  27. Травление металлических и диэлектрических слоев;

  28. Травление слов оксида и нитрида кремния в растворах плавиковой кислоты;

  29. Травление тонких металлических пленок: Al, Ni, Ti;29. Удаление полимерной высадки в растворе PRX-505 после процессов плазмохимического травления;

  30. Удаление полимерных слоев после процессов ПХТ;

  31. Удаление слоев фоторезистивной маски после процессов ЖХТ и ПХТ;

  32. Удаление фоторезистивной маски методом "взрыва" в органических растворителях;

  33. Финальная отмывка и сушка платин после жидкохимических процессов травления и отмывки кремниевых пластин;

  34. Формирование пленки позитивного фоторезиста Microposit S1813 G2 SP15 в диапазоне толщин 2,2- 2,6 мкм; Формирование пленки позитивного фоторезиста Ultra-I 123-0,8 в диапазоне толщин 0,85 - 1,1 мкм; Постэкспозиционная обработка и проявление пленок позитивны;

  35. Экспонирование (через проекционную линзу с коэффициентом уменьшения 4) пленок светочувствительных материалов, нанесенных на 300мм кремниевые пластины, УФ-излучением (λ=365нм), с использованием фотошаблона (6"), в т.ч. с совмещением по подлежащим топологических слоям;

  36. Электронная микроскопия, Ионная микроскопия, Элементный анализ, Зондирование;


II Выполнение нестандартных услуг и расчет их стоимости происходит по заявкам в индивидуальном порядке