ИНМЭ РАН
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки
Институт нанотехнологий микроэлектроники Российской академии наук
Об институте
Исследования и разработки
Установка КУТГИ
Национальные проекты
Новости
Противодействие коррупции
Контакты
На главную
Об институте
Публикации
Об институте
Руководство
Учёный совет
Публикации
Нормативные документы
THE EFFECT OF ELECTRON-PHONON INTERACTION ON THE FORMATION OF REVERSE CURRENTS OF P-N-JUNCTIONS OF SILICON-BASED POWER SEMICONDUCTOR DEVICES
11.11.2019
Bulyarskiy S.V.
Solid-State Electronics
. 2019. Т. 160. С. 107624.
Возврат к списку