ИНМЭ РАН
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки
Институт нанотехнологий микроэлектроники Российской академии наук
Об институте
Исследования и разработки
Установка КУТГИ
Национальные проекты
Новости
Противодействие коррупции
Контакты
На главную
Об институте
Публикации
Об институте
Руководство
Учёный совет
Публикации
Нормативные документы
COMMENT ON "GATE-CONTROLLED METAL-INSULATOR TRANSITION IN TIS3 NANOWIRE FIELD-EFFECT TRANSISTORS"
11.11.2019
Gorlova I.G., Pokrovskii V.Y., Frolov A.V., Orlov A.P.
ACS Nano
. 2019. Т. 13. № 8. С. 8495-8497.
Возврат к списку