24 января 2019 года Президент Российской академии наук А.М. Сергеев посетил Институт нанотехнологий микроэлектроники Российской академии наук (ИНМЭ РАН)
В рамках визита Сергеев А.М. осмотрел научно-экспериментальный комплекс ИНМЭ РАН, оснащенный новейшим оборудованием, которое дает возможность проводить на базе Института исследования на мировом уровне в области нанотехнологий и микросистемной техники.
Директор Института академик РАН Сауров А.Н. ознакомил Президента РАН с основными направлениями и результатами деятельности ИНМЭ РАН в области исследования технологий создания интегральных схем на основе новейших материалов. Научные сотрудники Института рассказали о специфике своих исследований в области материаловедения и эффектов, возникающих при объединении стандартных процессов микроэлектроники с наноструктурированными материалами на основе углерода.
Сергеев А.М. особо отметил тот факт, что с учетом доли молодых исследователей в общей численности научных работников Института более 40%, ИНМЭ РАН предоставляет им широкие возможности для ответственной работы с новейшим высокотехнологичным оборудованием и проведения научных экспериментов.