При помощи специальной техники физики Университета Калифорнии обнаружили дефект в катоде, который сделал его материалом с отрицательной сжимаемостью.

Поздравление с Днем российской науки руководителя ФАНО России М.М. Котюкова

ИНМЭ РАН совместно с НПК «Технологический Центр» и Национальным исследовательским университетом «МИЭТ» при поддержке Минобрнауки 27-28 марта 2014 г. проведут 4-ю Международную научно-техническую конференцию «Технологии микро- и наноэлектроники в микро- и наносистемной технике».

Исследователи из США провели первые детальные исследования «приграничных электронных состояний» графеновых нанолент. Различные работы предсказывали необычные свойства этих состояний, таким образом, опубликованные результаты позволят в будущем строить на их основе улучшенные наномасштабные устройства.

Компания Intel, являющаяся одним из лидеров в технологических инновациях, объявила о прорыве в принципах построения транзисторов. Речь идёт о транзисторах, которые используют технологию Tri-gate, разработанную и представленную компанией ещё в 2002 году. Сегодня Intel заявляет о полной готовности Tri-gate для массового рынка, а первыми продуктами, которые будут основаны на данной технологии, станут процессоры Ivy Bridge.

Исследователи из США смогли внедрить углеродные нанотрубки в органические светоизлучающие транзисторы [organic light-emitting transistors (OLET)], получив устройства, которые по производительности превосходят кремниевые аналоги. Новая технология позволит получить большие по размеру и менее дорогие плоские телевизионные и компьютерные экраны.

Компании Toshiba и SanDisk заявили в совместном сообщении о намерении в конце апреля 2011 г. приступить к поставкам первых тестовых образов чипа NAND-памяти, выполненного с применением передового 19-нм технологического процесса.

Исследователи в Австралии создали бумагу из множества слоёв графена. Она показала удивительные механические свойства, сохраняя хорошую гибкость и высокую упругость.

Исследователи из Южной Кореи получили результаты, которые ставят под вопрос ключевые предположения о фотохимических свойствах полупроводящих нанотрубок.

Институте исследований металлов им. Макса Планка был найден способ выращивания наноструктур из кремния при температуре всего в 150 оC.

Из кремния тоже можно получать двумерные листы толщиной всего лишь в один атом. При этом атомы располагаются в решётке в виде шестиугольных сот. Материал, во многом похожий на графен, создали японские исследователи.