В течение 2015-2016 гг. в ИНМЭ РАН разработана, укомплектована и запущена в опытную эксплуатацию для выполнения научных работ экспериментальная линия металлизации СБИС на пластинах 300 мм.
Создана высокотехнологичная инженерная инфраструктура, выполнено инструментальное оснащение и постановка процессов прецизионной фотолитографии, травления металла, осаждения пассивирующего диэлектрика и вскрытия контактных окон.
В настоящее время планируется расширение чистых помещений, дополнительное оснащение технологическим оборудованием и постановка процессов напыления металлов, формирования межслойного диэлектрика и подготовки контактных площадок для формирования шариковых выводов.
Назначение линии: формирование научно-технической платформы для разработки и создания микросистем на основе активного интерпозера.
Базовый научный подход основан на принципах гетерогенной интеграции – расширении КМОП технологического процесса путем добавления специфических шагов для интеграции в тело кристалла активных кремний-углеродных элементов или создания вертикально-интегрированных структур с использованием кристаллов МЭМС или дополнительной памяти.
Преимущества подхода заключаются в снижении форм-фактора, энергопотребления и времени задержки, интеграция в едином корпусе кристаллов, изготовленных по несовместимым технологиям.
Область применения: интернет вещей, биомедицинские системы, промышленные и бытовые сенсоры, телекоммуникации и автомобильная промышленность.
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
