Влияние структурных параметров на пробивные напряжения U-MOSFET транзистора
01.12.2016
А.М. Мумляков, И.Б. Варлашов.
Радиоэлектроника, электротехника и энергетика – 2016. 22-я международная научно-техническая конференция студентов и аспирантов. Тезисы докладов. – М.: Издательский дом МЭИ, 2016, 332 с.