Выставочная деятельность

Институт принял участие в 4-й Школе «Метрология и стандартизация в нанотехнологиях и наноиндустрии. Функциональные наноматериалы»

Институт принял участие в 4-й Школе «Метрология и стандартизация в нанотехнологиях и наноиндустрии. Функциональные наноматериалы»


15.05.2011

С 25 по 29 апреля в новосибирском Академгородке проходила четвертая школа «Метрология и стандартизация в нанотехнологиях и наноиндустрии. Функциональные наноматериалы», организованная компанией «Роснано» совместно с Федеральным агентством по техническому регулированию и метрологии и институтами Сибирского отделения РАН.

На открытии школы выступил главный ученый секретарь СО РАН член-корреспондент РАН Николай Захарович Ляхов, обозначив мероприятие как  очень важное для развития направления, связанного с нанотехнологиями: «Мы все экспериментаторы, а эксперимент начинается там, где есть точные, стандартизованные измерения. Если мы не можем сравнить два опыта, проведенные в разных лабораториях, то это не наука, а, в лучшем случае, естествоиспытательство».

Институтом был представлены доклад "Разработка методической базы и неразрушающих методов локального контроля электрофизических параметров наноразмерных функциональных областей интегральных микросхем" и два доклада совместно с Московским энергетическим институтом "Классификация наноструктур и ее применение", и "Искровой пробой тонких пленок g-As2Se3".

Первая работа направлена на создание методов диагностики электрофизических и морфологических свойств интегральных микросхем, основанных на применении остросфокусированного (~7нм) ионного зонда и сканирующей ионной микроскопии.

Во второй работе предложена модель классификации нанооболочек, которая может быть применима для всех возможных одно- и многослойных наноформ как замкнутых, так и открытых, совместимых с принципами симметрии и независима от размера оболочки.

В третьей работе описываются ряд эффектов, не наблюдавшихся ранее, при искровом пробое халькогенидных стеклообразных полупроводников, образующихся при том, что искра проходит двойной путь от анода к катоду и обратно.

Доклад "Разработка методической базы и неразрушающих методов локального контроля электрофизических параметров наноразмерных функциональных областей интегральных микросхем" был отмечен дипломом.